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A novel high breakdown voltage and high switching speed GaN HEMT with p-GaN gate and hybrid AlGaN buffer layer for power electronics applications
Yong Liu(刘勇), Qi Yu(于奇), and Jiang-Feng Du(杜江锋)
中国物理B . 2020, (
12
): 127701 . DOI: 10.1088/1674-1056/abaee5