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Interface and border trapping effects in normally-off Al
2
O
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/AlGaN/GaN MOS-HEMTs with different post-etch surface treatments
Si-Qi Jing(荆思淇), Xiao-Hua Ma(马晓华), Jie-Jie Zhu(祝杰杰), Xin-Chuang Zhang(张新创), Si-Yu Liu(刘思雨), Qing Zhu(朱青), Yue Hao(郝跃)
中国物理B . 2020, (
10
): 107302 . DOI: 10.1088/1674-1056/ab99bb