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Improved interfacial properties of HfGdON gate dielectric Ge MOS capacitor by optimizing Gd content
周琳, 刘璐, 邓煜恒, 李春霞, 徐静平
Improved interfacial properties of HfGdON gate dielectric Ge MOS capacitor by optimizing Gd content
Lin Zhou(周琳), Lu Liu(刘璐), Yu-Heng Deng(邓煜恒), Chun-Xia Li(李春霞), Jing-Ping Xu(徐静平)
中国物理B . 2019, (
12
): 127703 -127703 . DOI: 10.1088/1674-1056/ab4e7e