×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
Analysis of multiple cell upset sensitivity in bulk CMOS SRAM after neutron irradiation
潘霄宇, 郭红霞, 罗尹虹, 张凤祁, 丁李利
Analysis of multiple cell upset sensitivity in bulk CMOS SRAM after neutron irradiation
Xiaoyu Pan(潘霄宇), Hongxia Guo(郭红霞), Yinhong Luo(罗尹虹), Fengqi Zhang(张凤祁), Lili Ding(丁李利)
中国物理B . 2018, (
3
): 38501 -038501 . DOI: 10.1088/1674-1056/27/3/038501