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Simulation study of InAlN/GaN high-electron mobility transistor with AlInN back barrier
韩铁成, 赵红东, 杨磊, 王杨
Simulation study of InAlN/GaN high-electron mobility transistor with AlInN back barrier
Tie-Cheng Han(韩铁成), Hong-Dong Zhao(赵红东), Lei Yang(杨磊), Yang Wang(王杨)
中国物理B . 2017, (
10
): 107301 -107301 . DOI: 10.1088/1674-1056/26/10/107301