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Graphene resistive random memory–the promising memory device in next generation
王雪峰, 赵海明, 杨轶, 任天令
Graphene resistive random memory–the promising memory device in next generation
Xue-Feng Wang(王雪峰), Hai-Ming Zhao(赵海明), Yi Yang(杨轶), Tian-Ling Ren(任天令)
中国物理B . 2017, (
3
): 38501 -038501 . DOI: 10.1088/1674-1056/26/3/038501