×
模态框（Modal）标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框（Modal）标题
在这里添加一些文本
关闭
Comparison between N
2
and O
2
anneals on the integrity of an Al
2
O
3
/Si
3
N
4
/SiO
2
/Si memory gate stack
褚玉琼, 张满红, 霍宗亮, 刘明
Comparison between N
2
and O
2
anneals on the integrity of an Al
2
O
3
/Si
3
N
4
/SiO
2
/Si memory gate stack
Chu Yu-Qiong (褚玉琼), Zhang Man-Hong (张满红), Huo Zong-Liang (霍宗亮), Liu Ming (刘明)
Chin. Phys. B . 2014, (
8
): 88501 -088501 . DOI: 10.1088/1674-1056/23/8/088501