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High d
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immunity MOS controlled thyristor using a double variable lateral doping technique for capacitor discharge applications
陈万军, 孙瑞泽, 彭朝飞, 张波
High d
V
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t
immunity MOS controlled thyristor using a double variable lateral doping technique for capacitor discharge applications
Chen Wan-Jun (陈万军), Sun Rui-Ze (孙瑞泽), Peng Chao-Fei (彭朝飞), Zhang Bo (张波)
Chin. Phys. B . 2014, (
7
): 77307 -077307 . DOI: 10.1088/1674-1056/23/7/077307