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Temperature-dependent characteristics of 4H–SiC junction barrier Schottky diodes
陈丰平, 张玉明, 张义门, 汤晓燕, 王悦湖, 陈文豪
中国物理B . 2012, (
3
): 37304 -037304 . DOI: 10.1088/1674-1056/21/3/037304