Temperature-dependent characteristics of 4H–SiC junction barrier Schottky diodes
陈丰平, 张玉明, 张义门, 汤晓燕, 王悦湖, 陈文豪
中国物理B . 2012, (3): 37304 -037304 .  DOI: 10.1088/1674-1056/21/3/037304