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Improvement on the breakdown voltage for silicon-on-insulator devices based on epitaxy-separation by implantation oxygen by a partial buried n
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胡盛东, 吴丽娟, 周建林, 甘平, 张波, 李肇基
中国物理B . 2012, (
2
): 27101 -027101 . DOI: 10.1088/1674-1056/21/2/027101