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The electrical characteristics of a 4H–silicon carbide metal–insulator–semiconductor structure with Al
2
O
3
as the gate dielectric
刘莉, 杨银堂, 马晓华
The electrical characteristics of a 4H–silicon carbide metal–insulator–semiconductor structure with Al
2
O
3
as the gate dielectric
Liu Li(刘莉), Yang Yin-Tang(杨银堂), and Ma Xiao-Hua(马晓华)
中国物理B . 2011, (
12
): 127204 -127204 . DOI: 10.1088/1674-1056/20/12/127204