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Electrical and deep levels characteristics of ZnO/Si heterostructure by MOCVD deposition
刘磁辉, 刘秉策, 付竹西
Electrical and deep levels characteristics of ZnO/Si heterostructure by MOCVD deposition
Liu Ci-Hui(刘磁辉), Liu Bing-Ce(刘秉策), and Fu Zhu-Xi(付竹西)
中国物理B . 2008, (
6
): 2292 -2296 . DOI: 10.1088/1674-1056/17/6/060