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Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In
0.53
a
0.47
s/InAs resonant tunneling diodes on quantum well widths
张杨, 张予, 曾一平
Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In
0.53
Ga
0.47
As/InAs resonant tunneling diodes on quantum well widths
Zhang Yang (张杨), Zhang Yu (张予), Zeng Yi-Ping (曾一平)
中国物理B . 2008, (
12
): 4645 -4647 . DOI: 10.1088/1674-1056/17/12/052