Performance improvement in polymeric thin film transistors using chemically modified both silver bottom contacts and dielectric surfaces

Xie Ying-Tao^a),^b), Ouyang Shi-Hong^a),^b), Wang Dong-Ping^a),^b), Zhu Da-Long^a),^b), Xu Xin^a),^b), Tan Te^a),^b), Fong Hon-Hang†^a),^b)

Transfer characteristics of the device with Ag S/D contacts modified with 4-FTP and untreated SiO₂ dielectrics.