In-situ wafer bowing measurements of GaN grown on Si (111) substrate by reflectivity mapping in metal organic chemical vapor deposition system
Yang Yi-Bina),b), Liu Ming-Ganga),b), Chen Wei-Jiea),b), Han Xiao-Biaoa),b), Chen Jiea),b), Lin Xiu-Qia),b), Lin Jia-Lia),b), Luo Huia),b), Liao Qianga),b), Zang Wen-Jiea),b), Chen Yin-Songa),b), Qiu Yun-Linga),b), Wu Zhi-Shenga),b), Liu Yang†a),b), Zhang Bai-Jun‡a),b)
       
Images of the center position reflectivity (a) and reflectivity mapping (b) for sample C.