<em> In-situ</em> wafer bowing measurements of GaN grown on Si (111) substrate by reflectivity mapping in metal organic chemical vapor deposition system

In-situ wafer bowing measurements of GaN grown on Si (111) substrate by reflectivity mapping in metal organic chemical vapor deposition system

Yang Yi-Bin^a),^b), Liu Ming-Gang^a),^b), Chen Wei-Jie^a),^b), Han Xiao-Biao^a),^b), Chen Jie^a),^b), Lin Xiu-Qi^a),^b), Lin Jia-Li^a),^b), Luo Hui^a),^b), Liao Qiang^a),^b), Zang Wen-Jie^a),^b), Chen Yin-Song^a),^b), Qiu Yun-Ling^a),^b), Wu Zhi-Sheng^a),^b), Liu Yang†^a),^b), Zhang Bai-Jun‡^a),^b)

Wafer bowing images measured by ex-situ method, (a) sample A (bowing: 39.21 μm, concave), (b) sample B (bowing: 189 μm, convex), and (c) sample C (bowing: 8.88 μm, convex).