Influence of white light illumination on the performance of a-IGZO thin film transistor under positive gate-bias stress

Tang Lan-Feng^a),^b), Yu Guang^a),^b), Lu Hai†^a),^b), Wu Chen-Fei^a),^b), Qian Hui-Min^a),^b), Zhou Dong^a),^b), Zhang Rong^a),^b), Zheng You-Dou^a),^b), Huang Xiao-Ming^c)

Time dependences of the V _t shift (a) and μ _FE (b) under PBS and under the dark recovery and the illumination recovery.