Influence of white light illumination on the performance of a-IGZO thin film transistor under positive gate-bias stress

Tang Lan-Feng^a),^b), Yu Guang^a),^b), Lu Hai†^a),^b), Wu Chen-Fei^a),^b), Qian Hui-Min^a),^b), Zhou Dong^a),^b), Zhang Rong^a),^b), Zheng You-Dou^a),^b), Huang Xiao-Ming^c)

Transfer curves of the a-IGZO TFT measured as a function of time during the dark recovery (a) and the illumination recovery (b).