Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment

Li Pei^a),^b), Guo Hong-Xia†^a),^b),^c), Guo Qi^a),^b), Zhang Jin-Xin^d), Xiao Yao^c), Wei Ying^a),^b), Cui Jiang-Wei^a),^b), Wen Lin^a),^b), Liu Mo-Han^a),^b), Wang Xin^a),^b)

Transient terminal currents each as a function of time.