Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment

Li Pei^a),^b), Guo Hong-Xia†^a),^b),^c), Guo Qi^a),^b), Zhang Jin-Xin^d), Xiao Yao^c), Wei Ying^a),^b), Cui Jiang-Wei^a),^b), Wen Lin^a),^b), Liu Mo-Han^a),^b), Wang Xin^a),^b)

Electrostatic potentials of the SiGe HBT each as a function of time at (a) 0.003 ns, (b) 0.013 ns, (c) 0.86 ns, (d) 9 ns, (e) 60 ns, (f) 200 ns after an ion strike.