Migration characterization of Ga and In adatoms on dielectric surface in selective MOVPE<xref ref-type="fn" rid="cpb151032fn1">*</xref>

Migration characterization of Ga and In adatoms on dielectric surface in selective MOVPE*

Chen Wei-Jie^a),^b), Han Xiao-Biao^a),^b), Lin Jia-Li^a),^b), Hu Guo-Heng^a),^b), Liu Ming-Gang^a),^b), Yang Yi-Bin^a),^b), Chen Jie^a),^b), Wu Zhi-Sheng^a),^b), Liu Yang^b), Zhang Bai-Jun^a),^b)

Variation of the micro-pyramids’ volume versus the distance away from the boundary.