Simulation of positron backscattering and implantation profiles using Geant4 code

Huang Shi-Juan^a),^b), Pan Zi-Wen^a),^b), Liu Jian-Dang^a),^b), Han Rong-Dian^a),^b), Ye Bang-Jiao†^a),^b)

The positron implantation profiles in Al at 10 keV, 20 keV, and 35 keV. The data of Baker1991 comes from Ref. [ 22 ].