Simulation of positron backscattering and implantation profiles using Geant4 code

Huang Shi-Juan^a),^b), Pan Zi-Wen^a),^b), Liu Jian-Dang^a),^b), Han Rong-Dian^a),^b), Ye Bang-Jiao†^a),^b)

Our simulated positron implantation profiles in Al at 35 keV and its corresponding Makhovian fitting and Ghosh fitting curves.