Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation

Zheng Qi-Wen^a),^b),^c), Cui Jiang-Wei†^a),^b), Zhou Hang^a),^b),^c), Yu De-Zhao^a),^b),^c), Yu Xue-Feng^a),^b), Lu Wu^a),^b), Guo Qi^a),^b), Ren Di-Yuan^a),^b)

Static noise margin definition in memory cell during standby and read operation.