×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
Effects of notch structures on DC and RF performances of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Hao Zou(邹浩), Lin-An Yang(杨林安), Xiao-Hua Ma(马晓华), and Yue Hao(郝跃)
中国物理B . 2021, (
4
): 40502 . DOI: 10.1088/1674-1056/abd470