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Novel Si/SiC heterojunction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor field-effect transistor with p-type buried layer breaking silicon limit
Baoxing Duan(段宝兴), Xin Huang(黄鑫), Haitao Song (宋海涛), Yandong Wang(王彦东), and Yintang Yang(杨银堂)
中国物理B . 2021, (
4
): 48503 . DOI: 10.1088/1674-1056/abcf45