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Lateral depletion-mode 4H-SiC n-channel junction field-effect transistors operational at 400
°
C
Si-Cheng Liu(刘思成), Xiao-Yan Tang(汤晓燕), Qing-Wen Song(宋庆文), Hao Yuan(袁昊), Yi-Meng Zhang(张艺蒙), Yi-Men Zhang(张义门), and Yu-Ming Zhang(张玉明)
中国物理B . 2021, (
2
): 28503 -0 . DOI: 10.1088/1674-1056/abc0df