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Improved performance of back-gate MoS
2
transistors by NH
3
-plasma treating high-
k
gate dielectrics
陈建颖, 赵心愿, 刘璐, 徐静平
Improved performance of back-gate MoS
2
transistors by NH
3
-plasma treating high-
k
gate dielectrics
Jian-Ying Chen(陈建颖), Xin-Yuan Zhao(赵心愿), Lu Liu(刘璐), Jing-Ping Xu(徐静平)
中国物理B . 2019, (
12
): 128101 -128101 . DOI: 10.1088/1674-1056/ab50fe