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Defects and electrical properties in Al-implanted 4H-SiC after activation annealing
汤益丹, 刘新宇, 周正东, 白云, 李诚瞻
Defects and electrical properties in Al-implanted 4H-SiC after activation annealing
Yi-Dan Tang(汤益丹), Xin-Yu Liu(刘新宇), Zheng-Dong Zhou(周正东), Yun Bai(白云), Cheng-Zhan Li(李诚瞻)
中国物理B . 2019, (
10
): 106101 -106101 . DOI: 10.1088/1674-1056/ab3cc2