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Characterization of vertical Au/
β
-Ga
2
O
3
single-crystal Schottky photodiodes with MBE-grown high-resistivity epitaxial layer
刘兴钊, 岳超, 夏长泰, 张万里
Characterization of vertical Au/
β
-Ga
2
O
3
single-crystal Schottky photodiodes with MBE-grown high-resistivity epitaxial layer
X Z Liu(刘兴钊), C Yue(岳超), C T Xia(夏长泰), W L Zhang(张万里)
中国物理B . 2016, (
1
): 17201 -017201 . DOI: 10.1088/1674-1056/25/1/017201