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High-
k
gate dielectric GaAs MOS device with LaON as interlayer and NH
3
-plasma surface pretreatment
刘超文, 徐静平, 刘璐, 卢汉汉
High-
k
gate dielectric GaAs MOS device with LaON as interlayer and NH
3
-plasma surface pretreatment
Liu Chao-Wen (刘超文), Xu Jing-Ping (徐静平), Liu Lu (刘璐), Lu Han-Han (卢汉汉)
中国物理B . 2015, (
12
): 127304 -127304 . DOI: 10.1088/1674-1056/24/12/127304