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Hetero-epitaxy of
L
g
=0.13-μm metamorphic AlInAs/GaInAs HEMT on Si substrates by MOCVD for logic applications
黄杰, 黎明, 赵倩, 顾雯雯, 刘纪美
Hetero-epitaxy of
L
g
=0.13-μm metamorphic AlInAs/GaInAs HEMT on Si substrates by MOCVD for logic applications
Huang Jie (黄杰), Li Ming (黎明), Zhao Qian (赵倩), Gu Wen-Wen (顾雯雯), Lau Kei-May (刘纪美)
中国物理B . 2015, (
8
): 87305 -087305 . DOI: 10.1088/1674-1056/24/8/087305