×
模态框（Modal）标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框（Modal）标题
在这里添加一些文本
关闭
Gate-modulated generation–recombination current in n-type metal–oxide–semiconductor field-effect transistor
陈海峰
Gate-modulated generation–recombination current in n-type metal–oxide–semiconductor field-effect transistor
Chen Hai-Feng (陈海峰)
Chin. Phys. B . 2014, (
12
): 128502 -128502 . DOI: 10.1088/1674-1056/23/12/128502