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The influence and explanation of fringing-induced barrier lowering on sub-100 nm MOSFETs with high-k gate dielectrics
马飞, 刘红侠, 匡潜玮, 樊继斌
The influence and explanation of fringing-induced barrier lowering on sub-100 nm MOSFETs with high-
k
gate dielectrics
Ma Fei(马飞), Liu Hong-Xia(刘红侠), Kuang Qian-Wei(匡潜玮), and Fan Ji-Bin(樊继斌)
中国物理B . 2012, (
5
): 57305 -057305 . DOI: 10.1088/1674-1056/21/5/057305