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Breakdown voltage analysis of Al
0.25
Ga
0.75
N/GaN high electron mobility transistors with partial silicon doping in the AlGaN layer
段宝兴, 杨银堂
Breakdown voltage analysis of Al
0.25
Ga
0.75
N/GaN high electron mobility transistors with partial silicon doping in the AlGaN layer
Duan Bao-Xing(段宝兴) and Yang Yin-Tang(杨银堂)
中国物理B . 2012, (
5
): 57201 -057201 . DOI: 10.1088/1674-1056/21/5/057201