Comparison of the formation process and properties of epitaxial graphenes on Si- and C-face 6H–SiC substrates
王党朝, 张玉明, 张义门, 雷天民, 郭辉, 王悦湖, 汤晓燕, 王航
中国物理B . 2012, (3): 38102 -038102 .  DOI: 10.1088/1674-1056/21/3/038102