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Comparison of the formation process and properties of epitaxial graphenes on Si- and C-face 6H–SiC substrates
王党朝, 张玉明, 张义门, 雷天民, 郭辉, 王悦湖, 汤晓燕, 王航
中国物理B . 2012, (
3
): 38102 -038102 . DOI: 10.1088/1674-1056/21/3/038102