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Modeling of the drain-induced barrier lowering effect and optimization for a dual-channel 4H silicon carbide metal semiconductor field effect transistor
张现军,杨银堂,段宝兴,柴常春,宋坤,陈斌
中国物理B . 2012, (
3
): 37303 -037303 . DOI: 10.1088/1674-1056/21/3/037303