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The influence of interfacial barrier engineering on the resistance switching of In
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/TiO
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O
3
:SnO
2
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刘紫玉,张培健,孟洋,李栋,孟庆宇,李建奇,赵宏武
中国物理B . 2012, (
4
): 47302 -047302 . DOI: 10.1088/1674-1056/21/4/047302