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A device model for thin silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors with saturation effects
徐小波, 徐凯选, 张鹤鸣, 秦珊珊
A device model for thin silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors with saturation effects
Xu Xiao-Bo(徐小波), Xu Kai-Xuan(徐凯选), Zhang He-Ming(张鹤鸣), and Qin Shan-Shan(秦珊珊)
中国物理B . 2011, (
9
): 98501 -098501 . DOI: 10.1088/1674-1056/20/9/098501