×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
Study of 4H-SiC junction barrier Schottky diode using field guard ring termination
陈丰平, 张玉明, 吕红亮, 张义门, 黄建华
Study of 4H-SiC junction barrier Schottky diode using field guard ring termination
Chen Feng-Ping(陈丰平), Zhang Yu-Ming(张玉明), Lü Hong-Liang(吕红亮), Zhang Yi-Men(张义门), and Huang Jian-Hua(黄建华)
中国物理B . 2010, (
9
): 97107 -097107 . DOI: 10.1088/1674-1056/19/9/097107