×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
Two-dimensional analysis of the interface states effects on current gain for 4H-SiC bipolar junction transistor
张有润, 张波, 李肇基, 邓小川
Two-dimensional analysis of the interface states effects on current gain for 4H-SiC bipolar junction transistor
Zhang You-Run(张有润), Zhang Bo(张波), Li Zhao-Ji(李肇基), and Deng Xiao-Chuan(邓小川)
中国物理B . 2010, (
6
): 67102 -067102 . DOI: 10.1088/1674-1056/19/6/067102