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Evaluation of negative bias temperature instability in ultra-thin gate oxide pMOSFETs using a new on-line PDO method
纪志罡, 许铭真, 谭长华
Evaluation of negative bias temperature instability in ultra-thin gate oxide pMOSFETs using a new on-line PDO method
Ji Zhi-Gang (纪志罡), Xu Ming-Zhen (许铭真), Tan Chang-Hua (谭长华)
中国物理B . 2006, (
10
): 2431 -2438 . DOI: 10.1088/1009-1963/15/10/041