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Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)－Ag
11
In
12
Te
26
Sb
51
phase change semiconductor
刘波, 宋志棠, 张挺, 封松林, 干福熹
Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)－Ag
11
In
12
Te
26
Sb
51
phase change semiconductor
Liu Bo (刘波), Song Zhi-Tang (宋志棠), Zhang Ting (张挺), Feng Song-Lin (封松林), Gan Fu-Xi (干福熹)
中国物理B . 2004, (
7
): 1167 -1170 . DOI: 10.1088/1009-1963/13/7/036