Performance improvement in polymeric thin film transistors using chemically modified both silver bottom contacts and dielectric surfaces

Xie Ying-Tao^a),^b), Ouyang Shi-Hong^a),^b), Wang Dong-Ping^a),^b), Zhu Da-Long^a),^b), Xu Xin^a),^b), Tan Te^a),^b), Fong Hon-Hang†^a),^b)

Transfer characteristics of the devices with the SiO₂ gate oxide surface modified with SAMs: (a) HMDS; (b) OTS.