Degradation mechanism of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs using fluorine ion implantation under the on-state gate overdrive stress<xref ref-type="fn" rid="cpb141364fn1">*</xref>

Degradation mechanism of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs using fluorine ion implantation under the on-state gate overdrive stress*

Sun Wei-Wei^a),^b), Zheng Xue-Feng^a),^b)†, Fan Shuang^a),^b), Wang Chong^a),^b), Du Ming^a),^b), Zhang Kai^a),^b), Chen Wei-Wei^b), Cao Yan-Rong^b), Mao Wei^a),^b), Ma Xiao-Hua^b), Zhang Jin-Cheng^a),^b), Hao Yue^a),^b)

Fig. 7. Effect of electron trap filling bias V g #cod#x003D; 1.5 V, V ds #cod#x003D; 0 V on a gate overdrive stressed V g #cod#x003D; 3.0 V, V ds #cod#x003D; 1.0 V E-mode HEMT.