A C-band 55% PAE high gain two-stage power amplifier based on AlGaN/GaN HEMT

Zheng Jia-Xin^a), Ma Xiao-Hua†^a), Lu Yang^b), Zhao Bo-Chao^b), Zhang Hong-He^a), Zhang Meng^a), Cao Meng-Yi^b), Hao Yue^a),^b)

Cross section of an AlGaN/GaN HEMT.