Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.60.Jb" 的文章:
18503 Byung-Ryool Hyun, Mikita Marus, 钟华英, 李德鹏, 刘皓宸, 谢阅, Weon-kyu Koh, 徐冰, 刘言军, 孙小卫
  Infrared light-emitting diodes based on colloidal PbSe/PbS core/shell nanocrystals
    中国物理B   2020 Vol.29 (1): 18503-018503 [摘要] (41) [HTML 1 KB] [PDF 1218 KB] (42)
128504 刘皓宸, 钟华英, 郑凡凯, 谢阅, 李德鹏, 吴丹, 周子明, 孙小卫, 王恺
  Near-infrared lead chalcogenide quantum dots: Synthesis and applications in light emitting diodes
    中国物理B   2019 Vol.28 (12): 128504-128504 [摘要] (233) [HTML 1 KB] [PDF 6359 KB] (328)
107803 李长富, 时凯居, 徐明升, 徐现刚, 冀子武
  Photoluminescence properties of blue and green multiple InGaN/GaN quantum wells
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107803-107803 [摘要] (64) [HTML 1 KB] [PDF 1958 KB] (41)
78108 张皓然, 张琪, 张茜, 孙汇智, 海港, 仝静, 徐浩文, 夏瑞东
  Polarized red, green, and blue light emitting diodes fabricated with identical device configuration using rubbed PEDOT:PSS as alignment layer
    中国物理B   2019 Vol.28 (7): 78108-078108 [摘要] (140) [HTML 1 KB] [PDF 761 KB] (81)
58502 李光, 王林媛, 宋伟东, 姜健, 罗幸君, 郭佳琦, 贺龙飞, 张康, 吴启保, 李述体
  Enhanced performance of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes with linearly graded AlGaN inserting layer in electron blocking layer
    中国物理B   2019 Vol.28 (5): 58502-058502 [摘要] (162) [HTML 1 KB] [PDF 494 KB] (121)
38502 王燕丽, 李培咸, 许晟瑞, 周小伟, 张心禹, 姜思宇, 黄茹雪, 刘洋, 訾亚丽, 吴金星, 郝跃
  Double superlattice structure for improving the performance of ultraviolet light-emitting diodes
    中国物理B   2019 Vol.28 (3): 38502-038502 [摘要] (153) [HTML 1 KB] [PDF 818 KB] (71)
18503 王林媛, 宋伟东, 胡文晓, 李光, 罗幸君, 汪虎, 肖稼凯, 郭佳琦, 王幸福, 郝锐, 易翰翔, 吴启保, 李述体
  Efficiency enhancement of ultraviolet light-emitting diodes with segmentally graded p-type AlGaN layer
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 18503-018503 [摘要] (118) [HTML 1 KB] [PDF 746 KB] (93)
107801 寇志起, 唐宇, 杨丽萍, 杨飞宇, 郭文军
  Improvement of electro-optic performances in white organic light emitting diodes with color stability by buffer layer and multiple dopants structure
    中国物理B   2018 Vol.27 (10): 107801-107801 [摘要] (143) [HTML 1 KB] [PDF 498 KB] (86)
98502 郭霞, 刘巧莉, 田慧军, 郭春威, 李冲, 胡安琪, 何晓颖, 武华
  Efficiency-enhanced AlGaInP light-emitting diodes using transparent plasmonic silver nanowires
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 98502-098502 [摘要] (120) [HTML 1 KB] [PDF 1335 KB] (148)
88504 程立文, 马剑, 曹常锐, 徐作政, 兰天, 杨金彭, 陈海涛, 于洪岩, 吴曙东, 尧舜, 曾祥华, 徐仔全
  Improved carrier injection and confinement in InGaN light-emitting diodes containing GaN/AlGaN/GaN triangular barriers
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 88504-088504 [摘要] (260) [HTML 1 KB] [PDF 799 KB] (151)
117001 雷疏影, 钟建, 周殿力, 朱方云, 邓朝旭
  Enhancement of electroluminescent properties of organic optoelectronic integrated device by doping phosphorescent dye
    中国物理B   2017 Vol.26 (11): 117001-117001 [摘要] (132) [HTML 1 KB] [PDF 601 KB] (124)
108504 黄涌, 郭志友, 孙慧卿, 黄鸿勇
  Micro-light-emitting-diode array with dual functions of visible light communication and illumination
    中国物理B   2017 Vol.26 (10): 108504-108504 [摘要] (120) [HTML 1 KB] [PDF 1324 KB] (231)
97801 朱革, 李卓为, 王闯, 周发光, 温艳, 辛双宇
  Electronic structure and photoluminescence property of a novel white emission phosphor Na3MgZr(PO4)3:Dy3+ for warm white light emitting diodes
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 97801-097801 [摘要] (163) [HTML 0 KB] [PDF 1596 KB] (170)
98507 高建, 于倩倩, 张娟, 刘洋, 贾若飞, 韩俊, 吴晓明, 华玉林, 印寿根
  Lowering the driving voltage and improving the luminance of blue fluorescent organic light-emitting devices by thermal annealing a hole injection layer of pentacene
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 98507-098507 [摘要] (147) [HTML 1 KB] [PDF 1744 KB] (138)
87302 朱云柯, 钟建, 雷疏影, 陈辉, 邵双双, 林宇
  High-efficiency organic light-emitting diodes based on ultrathin blue phosphorescent modification layer
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87302-087302 [摘要] (163) [HTML 1 KB] [PDF 849 KB] (133)
78503 Muna E. Raypah,Mutharasu Devarajan,Fauziah Sulaiman
  Evaluation of current and temperature effects on optical performance of InGaAlP thin-film SMD LED mounted on different substrate packages
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 78503-078503 [摘要] (168) [HTML 1 KB] [PDF 2570 KB] (172)
47302 王子君, 赵娟, 周畅, 祁一歌, 于军胜
  Enhancement of Förster energy transfer from thermally activated delayed fluorophores layer to ultrathin phosphor layer for high color stability in non-doped hybrid white organic light-emitting devices
    中国物理B   2017 Vol.26 (4): 47302-047302 [摘要] (223) [HTML 1 KB] [PDF 867 KB] (237)
47703 卢英杰, 史志锋, 单崇新, 申德振
  ZnO-based deep-ultraviolet light-emitting devices
    中国物理B   2017 Vol.26 (4): 47703-047703 [摘要] (209) [HTML 1 KB] [PDF 4943 KB] (452)
28502 郭敏, 郭志友, 黄晶, 刘洋, 姚舜禹
  Improvement of the carrier distribution with GaN/InGaN/AlGaN/InGaN/GaN composition-graded barrier for InGaN-based blue light-emitting diode
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 28502-028502 [摘要] (209) [HTML 1 KB] [PDF 385 KB] (227)
17805 李翔, 赵德刚, 江德生, 杨静, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 刘炜, 何晓光, 李晓静, 梁锋, 刘建平, 张立群, 杨辉, 张源涛, 杜国同, 龙衡, 李沫
  Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 17805-017805 [摘要] (178) [HTML 1 KB] [PDF 308 KB] (255)
128502 曹进, 谢婧薇, 魏翔, 周洁, 陈超平, 王子兴, 田哲圭
  Bright hybrid white light-emitting quantum dot device with direct charge injection into quantum dot
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 128502-128502 [摘要] (181) [HTML 1 KB] [PDF 697 KB] (313)
118506 林家勇, 裴艳丽, 卓毅, 陈梓敏, 胡锐钦, 蔡广烁, 王钢
  High-performance InGaN/GaN MQW LEDs with Al-doped ZnO transparent conductive layers grown by MOCVD using H2O as an oxidizer
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 118506-118506 [摘要] (190) [HTML 0 KB] [PDF 866 KB] (241)
107803 乔良, 马紫光, 陈弘, 吴海燕, 陈雪芳, 杨浩军, 赵斌, 何苗, 郑树文, 李述体
  Effects of multiple interruptions with trimethylindium-treatment in the InGaN/GaN quantum well on green light emitting diodes
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 107803-107803 [摘要] (206) [HTML 1 KB] [PDF 931 KB] (233)
108505 魏昌庭, 庄锦勇, 陈雅丽, 张东煜, 苏文明, 崔铮
  Surface treatment on polyethylenimine interlayer to improve inverted OLED performance
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 108505-108505 [摘要] (239) [HTML 1 KB] [PDF 1102 KB] (459)
88505 秦萍, 宋伟东, 胡文晓, 张苑文, 张崇臻, 王汝鹏, 赵亮亮, 夏超, 袁松洋, 尹以安, 李述体, 宿世臣
  Improved performance of near UV light-emitting diodes with a composition-graded p-AlGaN irregular sawtooth electron-blocking layer
    中国物理B   2016 Vol.25 (8): 88505-088505 [摘要] (261) [HTML 1 KB] [PDF 315 KB] (307)
78502 招瑜, 范冰丰, 陈义廷, 卓毅, 庞洲骏, 刘振, 王钢
  Enhanced light extraction of GaN-based light-emitting diodes with periodic textured SiO2 on Al-doped ZnO transparent conductive layer
    中国物理B   2016 Vol.25 (7): 78502-078502 [摘要] (173) [HTML 1 KB] [PDF 486 KB] (309)
58504 H Sattarian, S Shojaei, E Darabi
  Two-color light-emitting diodes with polarization-sensitive high extraction efficiency based on graphene
    中国物理B   2016 Vol.25 (5): 58504-058504 [摘要] (182) [HTML 1 KB] [PDF 2039 KB] (342)
28501 张诚, 孙慧卿, 李旭娜, 孙浩, 范宣聪, 张柱定, 郭志友
  Performance improvement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with double electron blocking layers
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 28501-028501 [摘要] (292) [HTML 1 KB] [PDF 488 KB] (512)
127801 刘炜, 赵德刚, 江德生, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 李翔, 梁锋, 刘建平, 杨辉
  Variation of efficiency droop with quantum well thickness in InGaN/GaN green light-emitting diode
    中国物理B   2015 Vol.24 (12): 127801-127801 [摘要] (321) [HTML 1 KB] [PDF 1354 KB] (381)
117801 杜勇, 邵冲云, 董永军, 杨秋红, 华伟
  Spectral investigation of R, Ce:YAG (R: Pr3+, Eu3+, Gd3+) single crystals and their applications in white LEDs
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 117801-117801 [摘要] (204) [HTML 1 KB] [PDF 726 KB] (520)
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