Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.60.Dw" 的文章:
78502 郭延博, 竺立强
  Recent progress in optoelectronic neuromorphic devices
    中国物理B   2020 Vol.29 (7): 78502-078502 [摘要] (72) [HTML 1 KB] [PDF 8472 KB] (76)
48503 喻文娟, 张钰, 许明珠, 逯鑫淼
  Dark count in single-photon avalanche diodes: A novel statistical behavioral model
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 48503-048503 [摘要] (55) [HTML 1 KB] [PDF 629 KB] (61)
128502 洪成允, 黄刚锋, 要文文, 邓加军, 刘小龙
  Thickness-modulated in-plane Bi2O2Se homojunctions for ultrafast high-performance photodetectors
    中国物理B   2019 Vol.28 (12): 128502-128502 [摘要] (84) [HTML 1 KB] [PDF 1538 KB] (112)
68502 Taha Haddadifam, Mohammad Azim Karami
  Dark count rate and band to band tunneling optimization for single photon avalanche diode topologies
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 68502-068502 [摘要] (180) [HTML 1 KB] [PDF 6731 KB] (98)
38102 潘京, 邓巍, 徐秀真, 姜天昊, 张秀娟, 揭建胜
  Photodetectors based on small-molecule organic semiconductor crystals
    中国物理B   2019 Vol.28 (3): 38102-038102 [摘要] (349) [HTML 1 KB] [PDF 7131 KB] (344)
20701 胡津铭, 史源盛, 张珍衡, 智若楠, 杨盛谊, 邹炳锁
  Recent progress of infrared photodetectors based on lead chalcogenide colloidal quantum dots
    中国物理B   2019 Vol.28 (2): 20701-020701 [摘要] (277) [HTML 1 KB] [PDF 5611 KB] (358)
18502 王烨, 高孟磊, 吴金良, 张兴旺
  Metal halide perovskite photodetectors: Material featuresand device engineering
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 18502-018502 [摘要] (308) [HTML 1 KB] [PDF 4180 KB] (239)
128102 张永刚, 顾溢, 邵秀梅, 李雪, 龚海梅, 方家熊
  Short-wave infrared InGaAs photodetectors and focal plane arrays
    中国物理B   2018 Vol.27 (12): 128102-128102 [摘要] (161) [HTML 1 KB] [PDF 577 KB] (207)
128502 胡思奇, 田睿娟, 罗小光, 殷瑞, 程迎春, 赵建林, 王肖沐, 甘雪涛
  Photovoltaic effects in reconfigurable heterostructured black phosphorus transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (12): 128502-128502 [摘要] (248) [HTML 1 KB] [PDF 1749 KB] (148)
104207 马林东, 李豫东, 文林, 冯婕, 张翔, 王田珲, 蔡毓龙, 王志铭, 郭旗
  Total ionizing dose effects in pinned photodiode complementary metal-oxide-semiconductor transistor active pixel sensor
    中国物理B   2018 Vol.27 (10): 104207-104207 [摘要] (202) [HTML 1 KB] [PDF 604 KB] (128)
87303 刘頔, 祁晓卓, 邱奎霖, Takashi Taniguchi, 任希锋, 郭国平
  Optoelectronic properties of bottom gate-defined in-plane monolayer WSe2 p-n junction
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 87303-087303 [摘要] (160) [HTML 1 KB] [PDF 2359 KB] (177)
48501 丰亚洁, 李冲, 刘巧莉, 王华强, 胡安琪, 何晓颖, 郭霞
  Scalability of dark current in silicon PIN photodiode
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 48501-048501 [摘要] (191) [HTML 1 KB] [PDF 631 KB] (200)
114212 马林东, 李豫东, 郭旗, 文林, 周东, 冯婕, 刘元, 曾骏哲, 张翔, 王田珲
  Analysis of proton and γ-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors
    中国物理B   2017 Vol.26 (11): 114212-114212 [摘要] (149) [HTML 1 KB] [PDF 643 KB] (248)
38503 汤寅, 蔡青, 杨莲红, 董可秀, 陈敦军, 陆海, 张荣, 郑有炓
  An improved design for AlGaN solar-blind avalanche photodiodes with enhanced avalanche ionization
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 38503-038503 [摘要] (189) [HTML 1 KB] [PDF 285 KB] (230)
38504 魏侠, 闫法光, 申超, 吕全山, 王开友
  Photodetectors based on junctions of two-dimensional transition metal dichalcogenides
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 38504-038504 [摘要] (327) [HTML 1 KB] [PDF 7098 KB] (720)
28101 王玉冰, 尹伟红, 韩勤, 杨晓红, 叶焓, 吕倩倩, 尹冬冬
  Photoconductive multi-layer graphene photodetectors fabricated on etched silicon-on-insulator substrates
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 28101-028101 [摘要] (207) [HTML 1 KB] [PDF 1275 KB] (523)
118103 王玉冰, 尹伟红, 韩勤, 杨晓红, 叶焓, 吕倩倩, 尹冬冬
  Bolometric effect in a waveguide-integrated graphene photodetector
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 118103-118103 [摘要] (168) [HTML 1 KB] [PDF 819 KB] (786)
68101 尹伟红, 王玉冰, 韩勤, 杨晓红
  Gate-dependent photoresponse in self-assembled graphene p-n junctions
    中国物理B   2015 Vol.24 (6): 68101-068101 [摘要] (166) [HTML 1 KB] [PDF 236 KB] (287)
48504 江之韵, 谢红云, 张良浩, 张万荣, 胡瑞心, 霍文娟
  Analysis on high speed response of a uni-traveling-carrier double hetero-junction phototransistor
    中国物理B   2015 Vol.24 (4): 48504-048504 [摘要] (129) [HTML 0 KB] [PDF 266 KB] (259)
57504 A. Tataroğlu, A. A. Hendi, R. H. Alorainy, F. Yakuphanoğlu
  A new aluminum iron oxide Schottky photodiode designed via sol-gel coating method
    中国物理B   2014 Vol.23 (5): 57504-057504 [摘要] (231) [HTML 1 KB] [PDF 719 KB] (665)
108503 刘少卿, 杨晓红, 刘宇, 李彬, 韩勤
  Design and fabrication of a high-performance evanescently coupled waveguide photodetector
    中国物理B   2013 Vol.22 (10): 108503-108503 [摘要] (174) [HTML 1 KB] [PDF 543 KB] (495)
108504 乔赟, 梁琨, 陈文飞, 韩德俊
  Preliminary results for the design, fabrication, and performance of a backside-illuminated avalanche drift detector
    中国物理B   2013 Vol.22 (10): 108504-108504 [摘要] (155) [HTML 1 KB] [PDF 666 KB] (487)
37301 蒲红斌, 贺欣, 全汝岱, 曹琳, 陈治明
  Simulation of near-infrared photodiode detectors based on β-FeSi2/4H-SiC heterojunction
    中国物理B   2013 Vol.22 (3): 37301-037301 [摘要] (342) [HTML 0 KB] [PDF 344 KB] (786)
88503 刘玉荣, 黎沛涛, 姚若河
  High-photosensitivity polymer thin-film transistors based on poly(3-hexylthiophene)
    中国物理B   2012 Vol.21 (8): 88503-088503 [摘要] (958) [HTML 1 KB] [PDF 287 KB] (771)
57304 蒲红斌, 曹琳, 陈治明, 任杰
  Optically controlled SiCGe/SiC heterojunction transistor with charge-compensation layer
    中国物理B   2011 Vol.20 (5): 57304-057304 [摘要] (933) [HTML 0 KB] [PDF 1610 KB] (1581)
28502 周鹏, 李淳飞, 廖常俊, 魏正军, 袁书琼
  Numerical analysis of In0.53Ga0.47As/InP single photon avalanche diodes
    中国物理B   2011 Vol.20 (2): 28502-028502 [摘要] (852) [HTML 0 KB] [PDF 280 KB] (1420)
18504 左玉华, 曹权, 张云, 张岭梓, 郭剑川, 薛春来, 成步文, 王启明
  InP-based evanescently coupled high-responsivity photodiodes with extremely low dark current density integrated diluted waveguide at 1550 nm
    中国物理B   2011 Vol.20 (1): 18504-018504 [摘要] (1281) [HTML 0 KB] [PDF 1079 KB] (845)
117105 郝国栋, 陈涌海, 范亚明, 黄晓辉, 王怀兵
  22) plane GaN films[J]. 中国物理B, 2010,19(11): 117105-117106')"/> Strain effects on optical polarisation properties in (1122) plane GaN films
    中国物理B   2010 Vol.19 (11): 117105-117106 [摘要] (1037) [HTML 0 KB] [PDF 986 KB] (541)
80308 刘云, 吴青林, 韩正甫, 戴逸民, 郭光灿
  Internal cancellation of spikes using two avalanche photodiodes in series for single photon detection
    中国物理B   2010 Vol.19 (8): 80308-080308 [摘要] (1251) [HTML 0 KB] [PDF 378 KB] (795)
74216 张云霄, 廖栽宜, 赵玲娟, 潘教青, 朱洪亮, 王圩
  Monolithic optical gates based on integration of evanescently-coupled uni-traveling-carrier photodiodes and electroabsorption modulators
    中国物理B   2010 Vol.19 (7): 74216-074216 [摘要] (876) [HTML 0 KB] [PDF 794 KB] (724)
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