Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.40.Ry" 的文章:
48501 张瑞菁, 刘晓丽, 侯兴刚, 廖斌
  Experimental and computational study of visible light-induced photocatalytic ability of nitrogen ions-implanted TiO2 nanotubes
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 48501-048501 [摘要] (110) [HTML 1 KB] [PDF 2011 KB] (101)
67304 蔡超逸, 陈剑豪
  Electronic transport properties of Co cluster-decorated graphene
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 67304-067304 [摘要] (275) [HTML 1 KB] [PDF 1014 KB] (353)
48503 戴丽华, 毕大炜, 胡志远, 刘小年, 张梦映, 张正选, 邹世昌
  Research on the radiation hardened SOI devices with single-step Si ion implantation
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 48503-048503 [摘要] (260) [HTML 1 KB] [PDF 1624 KB] (214)
18502 王尘, 许怡红, 李成, 林海军
  Improved performance of Ge n+/p diode by combining laser annealing and epitaxial Si passivation
    中国物理B   2018 Vol.27 (1): 18502-018502 [摘要] (174) [HTML 1 KB] [PDF 552 KB] (135)
57304 黄巍, 陆超, 余珏, 魏江镔, 陈超文, 汪建元, 徐剑芳, 王尘, 李成, 陈松岩, 刘春莉, 赖虹凯
  High-performance germanium n+/p junction by nickel-induced dopant activation of implanted phosphorus at low temperature
    中国物理B   2016 Vol.25 (5): 57304-057304 [摘要] (242) [HTML 1 KB] [PDF 398 KB] (322)
17303 孙伟伟, 郑雪峰, 范爽, 王冲, 杜鸣, 张凯, 陈伟伟, 曹艳荣, 毛维, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Degradation mechanism of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs using fluorine ion implantation under the on-state gate overdrive stress
    中国物理B   2015 Vol.24 (1): 17303-017303 [摘要] (251) [HTML 0 KB] [PDF 313 KB] (577)
18502 李慧, 尚艳霞, 张早娣, 王泽松, 张瑞, 付德君
  Preparation of graphene on Cu foils by ion implantation with negative carbon clusters
    中国物理B   2015 Vol.24 (1): 18502-018502 [摘要] (285) [HTML 0 KB] [PDF 423 KB] (532)
118801 沈泽南, 夏洋, 刘邦武, 刘金虎, 李超波, 李勇滔
  Realization of conformal doping on multicrystalline silicon solar cells and black silicon solar cells by plasma immersion ion implantation
    中国物理B   2014 Vol.23 (11): 118801-118801 [摘要] (237) [HTML 1 KB] [PDF 942 KB] (727)
66105 秦希峰, 李洪珍, 李双, 冀子武, 王绘凝, 王凤翔, 付刚
  Investigation of the inhibiting outdiffusion of erbium atoms to a silicon-on-insulator surface after annealing at high temperature
    中国物理B   2012 Vol.21 (6): 66105-066105 [摘要] (942) [HTML 1 KB] [PDF 119 KB] (515)
86103 秦希峰, 李洪珍, 李双, 梁毅, 王凤翔, 付刚, 季艳菊
  Study of the lateral distribution of neodymium ions implanted in silicon
    中国物理B   2011 Vol.20 (8): 86103-086103 [摘要] (998) [HTML 0 KB] [PDF 126 KB] (783)
57701 叶超, 宁兆元
  Effect of F doping on capacitance-voltage characteristics of SiCOH low-k films metal-insulator-semiconductor structure
    中国物理B   2010 Vol.19 (5): 57701-057701 [摘要] (813) [HTML 0 KB] [PDF 209 KB] (622)
47201 宋庆文, 张玉明, 张义门, 张倩, 郭辉, 李志云, 王中旭
  Influence of geometrical parameters on the behaviour of SiC merged PiN Schottky rectifiers with junction termination extension
    中国物理B   2010 Vol.19 (4): 47201-047201 [摘要] (1056) [HTML 0 KB] [PDF 298 KB] (641)
37201 马中发, 张鹏, 吴勇, 李伟华, 庄奕琪, 杜磊
  Accurate extraction of trap depth responsible for RTS noise in nano-MOSFETs
    中国物理B   2010 Vol.19 (3): 37201-037201 [摘要] (1261) [HTML 0 KB] [PDF 345 KB] (900)
4995 朱樟明, 李儒, 郝报田, 杨银堂
  A novel analytical thermal model for multilevel nano-scale interconnects considering the via effect
    中国物理B   2009 Vol.18 (11): 4995-5000 [摘要] (1058) [HTML 0 KB] [PDF 153 KB] (752)
3428 冀会辉, 于民, 任黎明, 张兴, 黄如, 张有光
  Simulation of plasma doping process by using the localized molecular dynamics method
    中国物理B   2008 Vol.17 (9): 3428-3432 [摘要] (1081) [HTML 0 KB] [PDF 198 KB] (574)
2751 卜伟海, 黄如, 黎明, 田豫, 吴大可, 陈文新, 王阳元
  Silicon-on-nothing MOSFETs fabricated with hydrogenand helium co-implantation
    中国物理B   2006 Vol.15 (11): 2751-2755 [摘要] (1132) [HTML 0 KB] [PDF 1173 KB] (710)
1104 于春利, 杨林安, 郝跃
  A compact I-V model for lightly-doped-drain MOSFETs
    中国物理B   2004 Vol.13 (7): 1104-1109 [摘要] (638) [HTML 0 KB] [PDF 264 KB] (376)
1815 童建农, 邹雪城, 沈绪榜
  Influence of structural parameters on the immunity of short-channel effects in grooved-gate nMOSFET
    中国物理B   2004 Vol.13 (11): 1815-1819 [摘要] (648) [HTML 0 KB] [PDF 212 KB] (365)
565 郑中山, 刘忠立, 张国强, 李宁, 范楷, 张恩霞, 易万兵, 陈猛, 王曦
  Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOI PMOSFET
    中国物理B   2005 Vol.14 (3): 565-570 [摘要] (736) [HTML 0 KB] [PDF 279 KB] (928)
89 王守国, 张义门, 张玉明
  Theoretical investigation of incomplete ionization of dopants in uniform and ion-implanted 4H-SiC MESFETs
    中国物理B   2003 Vol.12 (1): 89-93 [摘要] (649) [HTML 0 KB] [PDF 247 KB] (528)
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