Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.35.-p" 的文章:
28502 刘海军, 陈长林, 朱熙, 孙盛阳, 李清江, 李智炜
  Memristor-based vector neural network architecture
    中国物理B   2020 Vol.29 (2): 28502-028502 [摘要] (41) [HTML 1 KB] [PDF 568 KB] (32)
108503 熊永臣, 朱占武, 贺泽东
  Phase transition and charge transport through a triple dot device beyond the Kondo regime
    中国物理B   2018 Vol.27 (10): 108503-108503 [摘要] (96) [HTML 1 KB] [PDF 400 KB] (104)
108504 赵虹, 彭丹丹, 何军, 李新梅, 龙孟秋
  Effects of edge hydrogenation and Si doping on spin-dependent electronic transport properties of armchair boron-phosphorous nanoribbons
    中国物理B   2018 Vol.27 (10): 108504-108504 [摘要] (158) [HTML 1 KB] [PDF 1350 KB] (90)
87701 吴仕剑, 王芳, 张志超, 李毅, 韩叶梅, 杨正春, 赵金石, 张楷亮
  High uniformity and forming-free ZnO-based transparent RRAM with HfOx inserting layer
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 87701-087701 [摘要] (212) [HTML 1 KB] [PDF 2296 KB] (103)
118501 邵楠, 张盛兵, 邵舒渊
  A phenomenological memristor model for synaptic memory and learning behaviors
    中国物理B   2017 Vol.26 (11): 118501-118501 [摘要] (205) [HTML 0 KB] [PDF 380 KB] (152)
118502 周二瑞, 方粮, 刘汝霖, 汤振森
  An improved memristor model for brain-inspired computing
    中国物理B   2017 Vol.26 (11): 118502-118502 [摘要] (267) [HTML 0 KB] [PDF 482 KB] (167)
97102 熊永臣, 张俊, 周望怀
  Voltage-controlled Kosterlitz-Thouless transitions and various kinds of Kondo behaviors in a triple dot device
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 97102-097102 [摘要] (146) [HTML 1 KB] [PDF 308 KB] (181)
18504 张书琴, 梁仁荣, 王敬, 谭桢, 许军
  Heteromaterial-gate line tunnel field-effect transistor based on Si/Ge heterojunction
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 18504-018504 [摘要] (149) [HTML 1 KB] [PDF 329 KB] (384)
118504 刘立滨, 梁仁荣, 单柏霖, 许军, 王敬
  Technology demonstration of a novel poly-Si nanowire thin film transistor
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 118504-118504 [摘要] (107) [HTML 1 KB] [PDF 1232 KB] (540)
107302 苏帅, 鉴肖川, 王芳, 韩叶梅, 田雨仙, 王晓旸, 张宏智, 张楷亮
  Resistive switching characteristic and uniformity of low-power HfOx-based resistive random access memory with the BN insertion layer
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 107302-107302 [摘要] (207) [HTML 1 KB] [PDF 1458 KB] (228)
58502 王小平, 陈林, 沈轶, 徐博文
  A novel circuit design for complementary resistive switch-based stateful logic operations
    中国物理B   2016 Vol.25 (5): 58502-058502 [摘要] (223) [HTML 1 KB] [PDF 829 KB] (323)
38502 辛艳辉, 袁胜, 刘明堂, 刘红侠, 袁合才
  Two-dimensional models of threshold voltage andsubthreshold current for symmetrical double-material double-gate strained Si MOSFETs
    中国物理B   2016 Vol.25 (3): 38502-038502 [摘要] (174) [HTML 1 KB] [PDF 339 KB] (236)
118501 刘唱白, 何滢, 王圣蕾
  Excellent ethanol sensing properties based on Er2O3-Fe2O3 nanotubes
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 118501-118501 [摘要] (195) [HTML 1 KB] [PDF 1659 KB] (257)
88401 王小平, 陈敏, 沈轶
  Switching mechanism for TiO2 memristor and quantitative analysis of exponential model parameters
    中国物理B   2015 Vol.24 (8): 88401-088401 [摘要] (208) [HTML 1 KB] [PDF 618 KB] (484)
73101 代月花, 陈真, 金波, 李宁, 李晓风
  Optimal migration path of Ag in HfO2: A first-principles study
    中国物理B   2015 Vol.24 (7): 73101-073101 [摘要] (157) [HTML 1 KB] [PDF 1468 KB] (560)
47302 Morteza Charmi
  Novel attributes and design considerations of effective oxide thickness in nano DG MOSFETs
    中国物理B   2015 Vol.24 (4): 47302-047302 [摘要] (183) [HTML 0 KB] [PDF 412 KB] (332)
18503 刘唱白, 刘星熠, 王圣蕾
  Excellent acetone sensing properties of porous ZnO
    中国物理B   2015 Vol.24 (1): 18503-018503 [摘要] (189) [HTML 0 KB] [PDF 457 KB] (308)
118402 刘海军, 李智炜, 于红旗, 孙兆林, 聂洪山
  Memristance controlling approach based on modification of linear M-q curve
    中国物理B   2014 Vol.23 (11): 118402-118402 [摘要] (172) [HTML 1 KB] [PDF 416 KB] (432)
107306 邓宁, 庞华, 吴畏
  Effects of different dopants on switching behavior of HfO2-based resistive random access memory
    中国物理B   2014 Vol.23 (10): 107306-107306 [摘要] (109) [HTML 1 KB] [PDF 953 KB] (1908)
68401 田晓波, 徐晖
  Characteristics of titanium oxide memristor with coexistence of dopant drift and a tunnel barrier
    中国物理B   2014 Vol.23 (6): 68401-068401 [摘要] (109) [HTML 1 KB] [PDF 2390 KB] (890)
48401 刘海军, 李智炜, 步凯, 孙兆林, 聂洪山
  Computation of the locus crossing point location of MC circuit
    中国物理B   2014 Vol.23 (4): 48401-048401 [摘要] (140) [HTML 1 KB] [PDF 310 KB] (327)
18504 Musarrat Jabeen, Muhammad Azhar Iqbal, R Vasant Kumar,Mansoor Ahmed, Muhammad Tayyeb Javed
  Chemical synthesis of zinc oxide nanorods for enhanced hydrogen gas sensing
    中国物理B   2014 Vol.23 (1): 18504-018504 [摘要] (164) [HTML 1 KB] [PDF 488 KB] (1655)
116801 高志翔, 王华, 郝玉英, 苗艳勤, 许并社
  Improved light extraction of organic light emitting diodes with a nanopillar pattering structure
    中国物理B   2013 Vol.22 (11): 116801-116801 [摘要] (166) [HTML 1 KB] [PDF 3307 KB] (526)
117304 李桂琴, 郭永
  Coupling strength effect on shot noise in boron devices
    中国物理B   2013 Vol.22 (11): 117304-117304 [摘要] (125) [HTML 1 KB] [PDF 621 KB] (271)
87303 侯海平, 谢月娥, 陈元平, 欧阳滔, 葛青霞, 钟建新
  Spin gapless armchair graphene nanoribbons under magnetic field and uniaxial strain
    中国物理B   2013 Vol.22 (8): 87303-087303 [摘要] (272) [HTML 1 KB] [PDF 654 KB] (578)
88501 田晓波, 徐晖
  The design and simulation of a titanium oxide memristor-based programmable analog filter in a simulation program with integrated circuit emphasis
    中国物理B   2013 Vol.22 (8): 88501-088501 [摘要] (237) [HTML 1 KB] [PDF 929 KB] (1313)
88502 田晓波, 徐晖, 李清江
  The conductive mechanisms of a titanium oxide memristor with dopant drift and a tunnel barrier
    中国物理B   2013 Vol.22 (8): 88502-088502 [摘要] (180) [HTML 1 KB] [PDF 907 KB] (736)
78901 方旭东, 唐玉华, 吴俊杰, 朱玄, 周静, 黄达
  SPICE modeling of flux-controlled unipolar memristive devices
    中国物理B   2013 Vol.22 (7): 78901-078901 [摘要] (256) [HTML 1 KB] [PDF 508 KB] (616)
98901 方旭东, 唐玉华, 吴俊杰
  SPICE modeling of memristors with multilevel resistance states
    中国物理B   2012 Vol.21 (9): 98901-098901 [摘要] (1091) [HTML 1 KB] [PDF 295 KB] (2247)
83303 于建宁, 张民艳, 李崇, 尚玉柱, 吕燕芳, 魏斌, 黄维
  Fine-tuning the thicknesses of organic layers to realize high-efficiency and long-lifetime blue organic light-emitting diodes
    中国物理B   2012 Vol.21 (8): 83303-083303 [摘要] (1031) [HTML 1 KB] [PDF 141 KB] (1078)
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